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MMBF170中文资料N 沟道增强型场效应晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBF170

功能描述

N 沟道增强型场效应晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 11:45:00

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MMBF170规格书详情

描述 Description

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 它们可用于需要500mA DC的大部分应用中。 这款产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。

特性 Features

•采用高密度单元设计,可实现极低的 RDS(ON).
•电压控制的小型信号开关。
•坚固而可靠。
•高饱和电流能力。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :MMBF170

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :0.5

  • PD Max (W)

    :0.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.65

  • Ciss Typ (pF)

    :24

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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