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MMBF170Q数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

MMBF170Q

功能描述

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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MMBF170Q规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching, performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage

应用 Application

Power Management Functions
Analog Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :MMBF170Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.5 A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :5000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :5300 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :SOT23

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