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MMBF170LT1

Power MOSFET 500 mA, 60 V

Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 Features • Pb-Free Packages are Available

文件:61.01 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1

TMOS FET Transistor

TMOS FET Transistor N–Channel

文件:98.04 Kbytes 页数:4 Pages

Motorola

摩托罗拉

MMBF170LT1

Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

文件:82.76 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1

TMOS FET Transistor

恩XP

恩XP

MMBF170LT1G

Power MOSFET

Power MOSFET 500 mA, 60 V, N−Channel SOT−23 Features • NVBF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件:131.12 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1G

Power MOSFET 500 mA, 60 V

Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 Features • Pb-Free Packages are Available

文件:61.01 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1_08

Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

文件:82.76 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1G

Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

文件:82.76 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBF170LT1G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.7408 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    MMBF170LT1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 500mA N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
23+
SOT-23
6300000
一级分销商
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24+
SOT23
13200
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
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ON/安森美
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SOT-23
9000
原装现货,随时欢迎询价
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2790
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05+
原厂原装
12374
只做全新原装真实现货供应
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25+
DIP-40
18000
原厂直接发货进口原装
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MOTOROLA
24+
SOT-23
5000
公司存货
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25+
SOT-23
2100
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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24+
原厂封装
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原装现货假一罚十
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16+
NA
8800
原装现货,货真价优
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更多MMBF170LT1供应商 更新时间2025-11-30 10:01:00