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IRF9620PBF	文件：1.34911 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •Dynamicd	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9620S	文件：165.28 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.5A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •SurfaceM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9620S	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9620S	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9620SPBF	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9620SPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9620SPBF	文件：1.0558 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •SurfaceM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9620STRLPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9620STRLPBFA	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9620G	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.0A) HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI9620G	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9620G	文件：772.09 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9620GPBF	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MAX9620	文件：1.87335 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX9620AXK+	文件：1.87335 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX9620AXK+	文件：1.82111 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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PCA9620	文件：535.67 Kbytes Page：71 Pages	UniversalLCDdriverforlowmultiplexrates	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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详细参数

型号：
ML9620
制造商：
OKI
制造商全称：
OKI electronic componets
功能描述：
CAN Controller IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ML9620供应商更新时间2024-6-11 16:43:00

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