IRF9620S中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF9620S规格书详情
Description
The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processingof the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
• Surface Mount
• Available in Tape & Reel
• Dynamic dV/dt Rating
• P-Channel
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
产品属性
- 型号：
IRF9620S
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
6812 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO263 |
7350 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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IR |
25+23+ |
TO263 |
73214 |
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询价 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-263 |
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IR |
24+ |
TO-263 |
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IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
4500 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
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IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 |
