MJF32C中文资料PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and switching applications. The MJF31C (NPN) and MJF32C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Collector–Emitter Saturation Voltage –VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage – VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
• High Current Gain – Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJF32C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJF32C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。