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MJF127中文资料5.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MJF127

参数属性

MJF127 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP

功能描述

5.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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MJF127规格书详情

描述 Description

The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heat sink or chassis.

特性 Features

• Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127
• 100 VCEO(sus)
• 5 A Rated Collector Current
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• High DC Current Gain2000 (Min) @ IC = 3 Adc
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJF127属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJF127晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJF127

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :5

  • V(BR)CEO Min (V)

    :100

  • VCE(sat) Max (V)

    :2

  • hFE Min (k)

    :2

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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