MJF122中文资料5.0 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJF122 |
参数属性 | MJF122 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP |
功能描述 | 5.0 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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MJF122规格书详情
描述 Description
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heat sink or chassis.
特性 Features
• Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127
• 100 VCEO(sus)
• 5 A Rated Collector Current
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
• High DC Current Gain2000 (Min) @ IC = 3 Adc
• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJF122属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJF122晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJF122
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- IC Continuous (A)
:5
- V(BR)CEO Min (V)
:100
- VCE(sat) Max (V)
:2
- hFE Min (k)
:2
- hFE Max (k)
:-
- fT Min (MHz)
:-
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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