MJE5851中文资料8.0 A, 350 V PNP Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJE5851 |
| 参数属性 | MJE5851 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 350V 8A TO220 |
| 功能描述 | 8.0 A, 350 V PNP Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
| 人工找货 | MJE5851价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJE5851规格书详情
描述 Description
The MJE5850, MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed for high voltage, high speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
• Switching Regulators
• Inverters
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
• Deflection Circuits
简介
MJE5851属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJE5851晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJE5851
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：2
- IC Cont. (A)
：8
- VCEO Min (V)
：350
- VCBO (V)
：-
- VEBO (V)
：6
- VBE(sat) (V)
：1.5
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：15
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：80
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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25+ |
TO-225AATO-126 |
54558 |
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询价 | ||
ON |
TO-220 |
68500 |
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询价 | |||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO-225AATO-126 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-2203LEADSTANDA |
8866 |
询价 | |||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
22+ |
TO-225AATO-126 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-220AB |
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询价 |
