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MJE15029数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJE15029

参数属性

MJE15029 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 120V 8A TO220

功能描述

8.0 A,120 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 120V 8A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 8:14:00

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MJE15029规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for use as a high-frequency driver in audio amplifiers.

特性 Features

• DC Current Gain Specified to 4.0 AmpereshFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 AdchFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 120 Vdc (Min)MJE15028, MJE15029VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - MJE15030, MJE15031
• High Current Gain - Bandwidth ProductfT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• TO-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJE15029属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJE15029晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJE15029

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :8

  • VCEO(sus) Min (V)

    :120

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :-

  • PTM Max (W)

    :50

  • fT Min (MHz)

    :30

  • Package Type

    :TO-220-3

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