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MJE15029	文件：208.1 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8.0A,120-150V,50W) ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseashigh–frequencydriversinaudioamplifiers. FEATURES: •Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=120Vdc(Min)—MJE15028,MJE15029 =150Vdc(Min)—MJE15030,MJE15031 •DCCurrentGai	MOSPEC MOSPEC
MJE15029	文件：217.2 Kbytes Page：6 Pages	8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120-150 VOLTS 50 WATTS ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseashigh–frequencydriversinaudioamplifiers. •DCCurrentGainSpecifiedto4.0Amperes hFE=40(Min)@IC=3.0Adc =20(Min)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MJE15029	文件：217.2 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Thesedevicesaredesignedforuseashigh−frequencydriversinaudioamplifiers. Features •HighCurrentGain−BandwidthProduct •TO−220CompactPackage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJE15029	文件：25.52 Kbytes Page：2 Pages	HIGH FREQUENCY DRIVERS IN AUDIO AMPLIFIERS MJE15028,15030NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS MJE15029,15031PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS HighfrequencyDriversinAudioAmplifiers	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
MJE15029	文件：533.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE15028/MJE15029SeriestypesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseinaudioamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
MJE15029	文件：169.44 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE15028,15030NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS MJE15029,15031PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS HighfrequencyDriversinAudioAmplifiers	CDIL CDIL
MJE15029	文件：181.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
MJE15029	文件：82.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJE15029	文件：120.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
MJE15029	文件：79.97 Kbytes Page：6 Pages	8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120??50 VOLTS, 50 WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJE15029	文件：118.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
MJE15029	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
MJE15029	文件：157.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MJE15029	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 120V 8A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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产品属性

产品编号：
MJE15029
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，2V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 120V 8A TO220

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