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MJF45H11G	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF45H11G	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES80VOLTS,36WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK45H11	文件：1.97976 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposePNP Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK45H11TWG	文件：1.97976 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposePNP Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJPE45H11	文件：367.24 Kbytes Page：12 Pages	80V,8APNPhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD45Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage Applications •Powermanagement •Loadswitch •Linearmodevoltageregulator •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJPE45H11-Q	文件：368.63 Kbytes Page：12 Pages	80V,8APNPhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD45Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplication	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MK45H11	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MK45H11K	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MK45H11N	文件：696.17 Kbytes Page：16 Pages	VERYFASTCMOS512/1K/2Kx9BiPORTFIFO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NJVMJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD45H11TF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
TRANS PNP 80V 8A DPAK

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