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NJVMJK44H11TWG	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJW44H11G	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackaging •Reliableperformanceathigherpowers •AccuratereproductionofInputsignal •Greaterdynamicrange •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingregulators •Highfrequencyinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NJVMJK44H11TWG

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PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN

Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl

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DESCRIPTION •WithTO-3PNpackaging •Reliableperformanceathigherpowers •AccuratereproductionofInputsignal •Greaterdynamicrange •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingregulators •Highfrequencyinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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安森美半导体安森美半导体公司

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详细参数

型号：
MJD44H11TM
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJD44H11TM供应商更新时间2025-7-12 16:36:00

详细参数

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