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NJW44H11G

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PN packaging • Reliable performance at higher powers • Accurate reproduction of Input signal • Greater dynamic range • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Switching regulators • High frequency inverter

文件:299.57 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NJW44H11G

80 V NPN, 10 A Power Transistor

文件:101.67 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJW44H11G

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 10A TO3P-3L

ONSEMI

安森美半导体

C44H11

SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

文件:108.31 Kbytes 页数:4 Pages

CDIL

CJD44H11

COMPLEMENTARY SILICON

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD44H11, CJD45H11 types are Complementary Silicon Power Transistors manufactured in a surface mount package designed for switching and power amplifier applications.

文件:460.22 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CJD44H11

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件:425.42 Kbytes 页数:2 Pages

Central

产品属性

  • 产品编号:

    NJW44H11G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 4A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    85MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P-3L

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A TO3P-3L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NJW44H11G供应商 更新时间2025-10-5 8:11:00