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MJF44H11	文件：205.89 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJF44H11	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES80VOLTS,36WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF44H11G	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES80VOLTS,36WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF44H11G	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK44H11	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK44H11TWG	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJPE44H11	文件：288.52 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage Applications •Powermanagement •Loadswitch •Linearmodevoltageregulator •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJPE44H11-Q	文件：290.43 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplication	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NJVMJB44H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD44H11AJ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
160MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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