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MJF44H11G	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS, 36 WATTS 文件：115.73 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJF44H11G	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Power Transistors 文件：157.17 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJF44H11G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 10A TO220FP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJK44H11	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	Power Transistor 80 V, 8 A Dual General Purpose NPN Designed for general purpose power and switching applications such as regulators, converters and power amplifiers. Housed in advanced LFPAK package (5 x 6 mm) with excellent thermal conduction. Automotive end applications include air bag deployment, power train control units, and instrument cl 文件：1.66812 Mbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJK44H11TWG	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	Power Transistor 80 V, 8 A Dual General Purpose NPN Designed for general purpose power and switching applications such as regulators, converters and power amplifiers. Housed in advanced LFPAK package (5 x 6 mm) with excellent thermal conduction. Automotive end applications include air bag deployment, power train control units, and instrument cl 文件：1.66812 Mbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJPE44H11	文件：288.52 Kbytes Page：12 Pages	80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High energy efficiency due to less heat generation • Electrically similar to popular MJD44H series • Low collector emitter saturation voltage Applications • Power management • Load switch • Linear mode voltage regulator • 文件：288.52 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
MJF44H11G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220FP

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