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MJF44H11	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF44H11	文件：205.89 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJF44H11	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES80VOLTS,36WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF44H11G	文件：115.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES80VOLTS,36WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJF44H11G	文件：157.17 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK44H11	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJK44H11TWG	文件：1.66812 Mbytes Page：6 Pages	PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposeNPN Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJPE44H11	文件：288.52 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage Applications •Powermanagement •Loadswitch •Linearmodevoltageregulator •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJPE44H11-Q	文件：290.43 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD44Hseries •Lowcollectoremittersaturationvoltage •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplication	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NJVMJB44H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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