MJD41C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD41C |
| 参数属性 | MJD41C 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 10A DPAK |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
278.48 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 23:01:00 |
| 人工找货 | MJD41C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD41C规格书详情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A
·Complement to Type MJD42C
APPLICATIONS
· Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications
产品属性
- 产品编号：
MJD41C-QJ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 300µA，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 100V 10A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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