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MJD41C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD41C
厂商型号

MJD41C

参数属性

MJD41C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 10A DPAK

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

260.69 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-6 10:51:00

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MJD41C规格书详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min)

• Complement to Type MJD42C

• DPAK for Surface Mount Applications

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for use in general purpose amplifer and low speed switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    MJD41C-QJ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 300µA,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 10A DPAK

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