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MJD122I中文资料100V,8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MJD122I

功能描述

100V,8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 9:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD122I

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • V(BR)CEO(V)min.

    :100

  • IC(A)

    :8

  • hFEmin.

    :1000

  • hFEmax.

    :12000

  • VCE (sat)(V)

    :4

  • IB(mA)

    :80

  • PD(W)max.

    :20

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

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