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MJD112RLG	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112RLG	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112RLG	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MM112	文件：495.69 Kbytes Page：1 Pages	PrecisionFilmResistors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
MMBFJ112	文件：488.24 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelSwitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：101.26 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelSwitch Features •Thisdeviceisdesignedforlowlevelanalogswitching, sampleandholdcircuitsandchopperstabilizedamplifiers •SourcedfromProcess51. •Source&Drainareinterchangeable.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：157.1 Kbytes Page：6 Pages	Thisdeviceisdesignedforlowlevelanalogswitching,sampleandholdcircuitsandchopperstabilizedamplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBFJ112	文件：450.3 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelSwitch Features •ThisDeviceisDesignedforLowLevelAnalogSwitching,Sample andHoldCircuitsandChopperStabilizedAmplifiers •SourcedfromProcess51 •Source&DrainareInterchangeable •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBTRA112SS	文件：123.7 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBTRC112SS	文件：123.68 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuitapplications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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产品属性

产品编号：
MJD112G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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