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MJ21196数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJ21196

参数属性

MJ21196 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 16A TO204

功能描述

Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A
TRANS NPN 250V 16A TO204

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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MJ21196规格书详情

描述 Description

The MJ21195G and MJ21196G utilize Perforated Emitter technology and a specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

特性 Features

• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain - hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 3 A, 80 V, 1 Second
• Pb-Free Packages are Available

简介

MJ21196属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJ21196晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJ21196

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :16

  • VCEO(sus) Min (V)

    :250

  • hFE Min

    :25

  • hFE Max

    :75

  • PTM Max (W)

    :250

  • fT Min (MHz)

    :5

  • Package Type

    :TO-204-2

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