MJ21195数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MJ21195 |
| 参数属性 | MJ21195 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 250V 16A TO204 |
| 功能描述 | Bipolar Transistor, PNP, 250 V, 16 A |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | MJ21195价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJ21195规格书详情
描述 Description
The MJ21195G and MJ21196G utilize Perforated Emitter technology and a specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
特性 Features
• Total Harmonic Distortion Characterized
• High DC Current Gain - hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc
• Excellent Gain Linearity
• High SOA: 3 A, 80 V, 1 Second
• Pb-Free Packages are Available
简介
MJ21195属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJ21195晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJ21195
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- IC Continuous (A)
：16
- VCEO(sus) Min (V)
：250
- hFE Min
：25
- hFE Max
：75
- PTM Max (W)
：250
- fT Min (MHz)
：5
- Package Type
：TO-204-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO204 |
7350 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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TO-3 |
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询价 | ||
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24+ |
TO-204-2 |
25000 |
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原厂原装正品 |
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onsemi |
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