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MJ21195	文件：149.83 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SiliconPowerTransistors TheMJ21195andMJ21196utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain−hFE=25Min@IC=8Ad	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195	文件：131.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MJ21195	文件：159.5 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MJ21195	文件：83.23 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195_06	文件：83.23 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195G	文件：83.23 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195G	文件：131.3 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195G	文件：363.4 Kbytes Page：5 Pages	250 Watt Silicon Type Metal Package Power Transistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
MJ21195G_13	文件：131.3 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Power Transistors 16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJ21195G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 16A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195	文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages	16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195	文件：135.85 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W TheMJL21195andMJL21196utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCur	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195	文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195	文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195	文件：291.93 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MJL21195A	文件：2.54476 Mbytes Page：6 Pages	200WattSiliconEpitaxialPlanarPNPTypePowerTransistor DESCRIPTION ·WithTO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL)pkg ·ComplementtotypeMJL21196A APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
MJL21195G	文件：2.30806 Mbytes Page：6 Pages	200WattSiliconEpitaxialPlanarPNPTypePowerTransistor DESCRIPTION ·WithTO-3PL-SQ(TO-3PBL/TO-3BPL)pkg ·ComplementtotypeMJL21196G APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendedfor100Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
MJL21195G	文件：132.52 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195G	文件：135.58 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJL21195G	文件：164.08 Kbytes Page：8 Pages	16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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详细参数

型号：
MJ21195
功能描述：
两极晶体管 - BJT 16A 250V 250W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	MJ21195	isc	2024+	TO-3	55000	国产品牌isc,质量等同原装	询价
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更多MJ21195供应商更新时间2024-4-26 12:45:00

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