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MJ11030分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJ11030
厂商型号

MJ11030

参数属性

MJ11030 封装/外壳为TO-204AE;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

功能描述

POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)

封装外壳

TO-204AE

文件大小

154.67 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Mospec Semiconductor
企业简称

MOSPEC统懋

中文名称

统懋半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-30 22:55:00

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MJ11030规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

. . . designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

• High Gain Darlington Performance

• High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 A

hFE = 400 (Min) @ IC = 50 A

• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

产品属性

  • 产品编号:

    MJ11030

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

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