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MJ11029中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

MJ11029
厂商型号

MJ11029

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

53.61 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 11:48:00

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MJ11029规格书详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V(BR)CEO= -60V(Min.)

• High DC Current Gain-

: hFE= 1000(Min.)@IC= -25A

: hFE= 400(Min.)@IC= -50A

• Complement to Type MJ11028

APPLICATIONS

• Designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

产品属性

  • 型号:

    MJ11029

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 50A 60V Bipolar

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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