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MUR10020CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10020CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10020CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10020CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR10020CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10020CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA

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晶体管资料

型号：
MJ10020
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
60A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
2SD643,
最大耗散功率：
250W
放大倍数：
β>75
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
60
wtest：
250

详细参数

型号：
MJ10020
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MJ10020	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	MJ10020	ON/MOT	24+	TO-3	500	原装现货假一罚十	询价
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更多MJ10020供应商更新时间2025-5-23 15:30:00

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