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MJD112

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EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=4V,IC=1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD117/L.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

MJD112

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D-PAKforSurfaceMountApplications

Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MJD112

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NPNSiliconDarlingtonTransistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

MJD112

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ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD112

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COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

MJD112

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TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR

Description Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andamplifiers.

DCCOM

Dc Components

MJD112

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ComplementaryDarlingtonPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD112

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ComplementarypowerDarlingtontransistors

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

MJD112

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TO-251/TO-252-2Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Complementarydarlingtonpowertransistors dpakforsurfacemountapplications

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

MJD112

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市一线半导体有限公司
MIH-SS-112LM
国兴GOODSKY
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MIH-SS-124LM
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MIHW1002
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MIHW1007
MINMAX
23+
SIPDIP
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多MIH-SS-112LF供应商 更新时间2025-5-23 15:30:00

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