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MIC4123YME中文资料Dual 3A-Peak Low-Side MOSFET Driver Bipolar/CMOS/DMOS Process数据手册MIC规格书

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厂商型号

MIC4123YME

参数属性

MIC4123YME 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

Dual 3A-Peak Low-Side MOSFET Driver Bipolar/CMOS/DMOS Process

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

制造商

MIC MIC GROUP RECTIFIERS

中文名称

昌福电子 昌福电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-18 20:07:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MIC4123YME

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3A,3A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    11ns,11ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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