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MGP15N35CL	文件：99.99 Kbytes Page：8 Pages	Internally Clamped N-Channel IGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP15N35CL	文件：250.45 Kbytes Page：10 Pages	Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP15N35CL_06	文件：250.45 Kbytes Page：10 Pages	Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MTH15N35	文件：500.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs15AMPERES rDS(on)=0.3OHM350and400VOLTS N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH15N35	文件：316.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTIYI15N35	文件：89.99 Kbytes Page：1 Pages	MaximumLeadTemp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM15N35	文件：89.99 Kbytes Page：1 Pages	MaximumLeadTemp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
MGP15N35CL
功能描述：
IGBT 晶体管 15A 350V Ignition
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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