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OPA2317IDR-TP	文件：3.47436 Mbytes Page：6 Pages	CMOSOperationalAmplifierZeroDrift Features «GeneralPurpose,LowCost 'GainBandwidthProduct:300KHz oLowQuiescentCurrent:21pA/Amplifier ©0.01Hz-10HzNoise:1.5pVep ZeroDrift:0.01uV/I°C(Typ) oInputBiasCurrent:20pA «UnityGainStable oRail-to-RailInputandOutput «SingleorDualSupplyOp	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PB-2317	文件：42.71 Kbytes Page：1 Pages	Non-WashableType	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
PP2317	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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PT2317A-S	文件：136.52 Kbytes Page：3 Pages	SimpleCarAudioController? DESCRIPTION PT2317AandPT2317Barefour-channeldigitalaudioprocessorsutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforcaraudioandhi-fisystems.Volume,Right/LeftBalance,Bass,Treble,FaderandLoudnessFunctionsareincorporatedintoasinglechipSelectablegain,directkeymodeas	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2317B	文件：136.52 Kbytes Page：3 Pages	SimpleCarAudioController? DESCRIPTION PT2317AandPT2317Barefour-channeldigitalaudioprocessorsutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforcaraudioandhi-fisystems.Volume,Right/LeftBalance,Bass,Treble,FaderandLoudnessFunctionsareincorporatedintoasinglechipSelectablegain,directkeymodeas	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2317B-S	文件：136.52 Kbytes Page：3 Pages	SimpleCarAudioController? DESCRIPTION PT2317AandPT2317Barefour-channeldigitalaudioprocessorsutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforcaraudioandhi-fisystems.Volume,Right/LeftBalance,Bass,Treble,FaderandLoudnessFunctionsareincorporatedintoasinglechipSelectablegain,directkeymodeas	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RF2317	文件：365.58 Kbytes Page：12 Pages	LINEARCATVAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2317	文件：232.04 Kbytes Page：12 Pages	LINEARCATVAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2317	文件：151.98 Kbytes Page：8 Pages	LINEARCATVAMPLIFIER ProductDescription TheRF2317isageneralpurpose,low-costhigh-linearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessofbett	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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