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NP80N06MLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP80N06MLG	文件：994.69 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NP80N06PLG	文件：1.05533 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N06PLG	文件：355.07 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N06PLG	文件：306.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	ME80N06T	MATSUKI	2022+	TO-220	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	ME80N06T	MATSUKI	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市晨豪科技有限公司	ME80N06T	松木	23+	TO-220	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	ME80N06T	MT茂钿	24+	NA/	21750	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	ME80N06T	MATSUKI	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ME80N06T	MATSUKI	20+	TO-220	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ME80N06T	MT茂钿	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	ME80N06T	MT茂钿	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价
深圳兆威电子有限公司	ME80N08	ME	22+	TO-220	39566	原装正品现货,可开13个点税	询价

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