MDS800分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MDS800 |
| 参数属性 | MDS800 封装/外壳为55ST-1；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 |
| 功能描述 | 800 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics at 1090 MHz |
| 封装外壳 | 55ST-1 |
| 文件大小 |
55.48 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 13:39:00 |
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MDS800规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The MDS800 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems at 1090 MHz, with the pulse width and duty required for MODE-S applications. The device has gold thin-film metalization and emitter ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
产品属性
- 产品编号：
MDS800
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.09GHz
- 增益：
8.6dB
- 功率 - 最大值：
1458W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
60A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55ST-1
- 供应商器件封装：
55ST-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
ISOTOP |
2987 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST |
24+ |
4 |
询价 | ||||
ST/ASI |
24+ |
87 |
现货供应 |
询价 | |||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
JST |
DIP-8 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ST/意法 |
2023+ |
MODULE |
469 |
主打螺丝模块系列 |
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ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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JST/日压 |
2508+ |
/ |
309575 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
询价 |
