MDS80分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MDS80 |
| 参数属性 | MDS80 封装/外壳为55ST-1；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 |
| 功能描述 | DIODE / SCR MODULE |
| 封装外壳 | 55ST-1 |
| 文件大小 |
399.06 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 17:56:00 |
| 人工找货 | MDS80价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MDS80规格书详情
DESCRIPTION
Packaged in ISOTOP modules, the MDS Series is based on the half-bridge SCR-diode configuration. They are suitable for high power applications, using phase controlled bridges, such as soft-start circuits, welding equipment, motor speed
controller. The compactness of the ISOTOP package allows high power density and optimized power bus connections. Thanks to their internal ceramic pad, they provide high voltage insulation (2500V RMS), complying with UL standards (File
ref: E81734)
产品属性
- 产品编号：
MDS800
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.09GHz
- 增益：
8.6dB
- 功率 - 最大值：
1458W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
60A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55ST-1
- 供应商器件封装：
55ST-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
ISOTOP |
2987 |
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询价 | ||
ST |
2018 |
模块 |
300 |
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询价 | ||
ST |
25+23+ |
module |
36260 |
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ST/意法 |
23+ |
module |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
模块 |
362 |
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询价 | ||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
309575 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
MODULE |
658 |
主打螺丝模块系列 |
询价 | ||
JSTCORPORATION |
新 |
3101 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
