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GHZTO-59

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MDS800

Microsemi Corporation55ST-1

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MICROSEMI55ST-1

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-

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MDS800

MICROSEMI55ST-1

7

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MDS800-1200

STMODULE

23480

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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MDS800A1200V

TECHSEMMODULE

13000

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MDS800A800V

IXFN标准封装

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MDS800

MICROSEMI/美高森美TO-59

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MDS800A

IXFN标准封装

3088

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MDS800A1200V

IXFN标准封装

3088

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MDS800A1600V

IXFN标准封装

3088

26+

授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存

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MDS800A600V

IXFN标准封装

3088

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授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存
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MDS800A600V中文资料Alldatasheet PDF

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MDS800制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MDS800 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

产品属性

  • 产品编号：

    MDS800

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    65V

  • 频率 - 跃迁：

    1.09GHz

  • 增益：

    8.6dB

  • 功率 - 最大值：

    1458W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 1A，5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    60A

  • 工作温度：

    200°C（TJ）

  • 安装类型：

    底座安装

  • 封装/外壳：

    55ST-1

  • 供应商器件封装：

    55ST-1

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1

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