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MDS150分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MDS150
厂商型号

MDS150

参数属性

MDS150 封装/外壳为55AW;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

功能描述

THREE PHASE BRIDGE MODULE

封装外壳

55AW

文件大小

918.19 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Information Resources, Inc. IRI
企业简称

IRI

中文名称

Information Resources, Inc. IRI官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 17:24:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MDS150

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    60V

  • 频率 - 跃迁:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    350W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 500mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    4A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    55AW

  • 供应商器件封装:

    55AW

  • 描述:

    RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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