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MDS110分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MDS110

参数属性

MDS110 封装/外壳为55TU-1;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

功能描述

Three Phase Bridge Rectifier, 110 Amps

封装外壳

55TU-1

文件大小

282.91 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NAINA

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 10:09:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MDS1100

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    65V

  • 频率 - 跃迁:

    1.03GHz

  • 增益:

    8.9dB

  • 功率 - 最大值:

    8750W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    55TU-1

  • 供应商器件封装:

    55TU-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

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