MDS150分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MDS150 |
| 参数属性 | MDS150 封装/外壳为55AW；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW |
| 功能描述 | 150 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz |
| 封装外壳 | 55AW |
| 文件大小 |
216.55 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 11:21:00 |
| 人工找货 | MDS150价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MDS150规格书详情
MDS150属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美公司制造生产的MDS150晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
MDS150
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
350W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55AW
- 供应商器件封装：
55AW
- 描述：
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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