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MJD117	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD117	文件：275.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoMJD112	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD117	文件：286.91 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD117	文件：153.95 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD117	文件：793.68 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighDCcurrentgain,built-inadamperdiodeatE-C,electricallysimilartopopularTIP117. Applications Mediumpowerswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJD117	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
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MJD117	文件：300.27 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
MDLM117-H
制造商：
NSC
制造商全称：
National Semiconductor
功能描述：
POSITIVE THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR

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