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MGP15N60U	文件：120.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovideslowon–voltagewhichresultsinefficientoperationat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP15N60U	文件：120.03 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovidesfastswitchingcharacteristicsandresultsinefficien	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MS15N60	文件：395.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSB15N60	文件：459.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF15N60	文件：947.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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PSM15N60CT	文件：938.18 Kbytes Page：10 Pages	15A600VSingleN?륝hannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RLBGB15N60	文件：518.89 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,15A VCE(sat)(typ.)=1.75V@VGE=15V,IC=15A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS, general	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLGB15N60CT	文件：442.06 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,15A VCE(sat)(typ.)=1.75V@VGE=15V,IC=15A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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