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NP80N03NDE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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PJU80N03	文件：486.53 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPB80N03	文件：80.6 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SPB80N03L	文件：78.22 Kbytes Page：9 Pages	Enhancementmode Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •LogicLevel •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SPP80N03	文件：80.6 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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