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MCP6006UT-ESLASHLTVAO	文件：3.29362 Mbytes Page：46 Pages	1 MHz Operational Amplifier with EMI Filtering	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP6006UT-ESLASHOTVAO	文件：3.29362 Mbytes Page：46 Pages	1MHzOperationalAmplifierwithEMIFiltering	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
N6006NZ	文件：260.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,6A,1.2Ω Description TheN6006NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=1.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±6.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTE6006	文件：20.66 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier,40A,200ns Description: TheNTE6006throughNTE6011arefastrecoverysiliconrectifiersinaDO5typepackagedesignedforspecialapplicationssuchasDCpowersupplies,inverters,converters,ultrasonicsystems,choppers,lowRFinterference,sonarpowersupplies,andfreewheelingdiodes.Acompletelin	NTE NTE Electronics	NTE
NW6006	文件：324.01 Kbytes Page：22 Pages	ENHANCEDTYPEIICALLERIDDECODERWITHSTUTTERDIALTONEDETECTOR	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
NW6006-XS	文件：324.01 Kbytes Page：22 Pages	ENHANCEDTYPEIICALLERIDDECODERWITHSTUTTERDIALTONEDETECTOR	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
OM6006SC	文件：50.16 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECTO-258AAPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
P6006BDG	文件：785.82 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
P6006HV	文件：1.10413 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelAdvancedPowerMOSFET Features VDS=60V,ID=5A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
PAC6006.XXXNLT	文件：285.92 Kbytes Page：2 Pages	SMTCommonModeChokes	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCP6006UT-ESLASHLTVAO供应商更新时间2025-7-21 11:01:00

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