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MMBT3906	文件：96.48 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof300mWattsofPowerDissipation •Marking:2A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906	文件：136.29 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPN transistorMMBT3904isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewith thetypedesignation2N3906.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：123.82 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNP) PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906	文件：432.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：109.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906	文件：303.26 Kbytes Page：3 Pages	30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreel	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT3906	文件：279.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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产品属性

产品编号：
MCP3906A-E/SS
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电能计量
包装：
管件
输入阻抗：
390 千欧
测量误差：
0.1%
电压 - I/O 高：
2.4V
电压 - I/O 低：
0.85V
电流 - 供电：
2.7mA
表计类型：
Single Phase
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
24-SSOP
描述：
IC ENERGY METERING 24SSOP

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