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MMBT3906	文件：60.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：123.82 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNP) PNPSiliconType Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906	文件：432.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906	文件：109.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906	文件：303.26 Kbytes Page：3 Pages	30.3WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906	文件：100.01 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreel	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT3906	文件：279.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904). ●CollectorCurrentCapabilityICM=-200mA. ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3906	文件：234.11 Kbytes Page：4 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT3906	文件：337.8 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor PNPSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors MMBT3904isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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产品属性

产品编号：
MCP3906-I/SS
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电能计量
包装：
管件
输入阻抗：
390 千欧
测量误差：
0.1%
电压 - I/O 高：
2.4V
电压 - I/O 低：
0.85V
电流 - 供电：
2.7mA
表计类型：
Single Phase
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
24-SSOP
描述：
IC ENERGY METERING 24SSOP

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更多MCP3906-I/SS供应商更新时间2025-7-16 16:03:00

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