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MMBT3906	文件：300.37 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3904	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT3906	文件：202.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT3906	文件：58.14 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEISMMBT3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORPORTABLEEQUIPMENT ■SMALLLOADSWITCHTRANSISTORWITH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MMBT3906	文件：107.29 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Leadfreeproduct	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3906	文件：48.48 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:MMBT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MMBT3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906	文件：110.16 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3906SandSMBT3906U: Two(galvanic)internalisolatedtransistor withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes: SMBT3904...MMBT3904(NPN) •SMB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3906	文件：96.48 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof300mWattsofPowerDissipation •Marking:2A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906	文件：136.29 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(PNP) FEATURES ♦PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,theNPN transistorMMBT3904isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewith thetypedesignation2N3906.	GE GE Industrial Company	GE

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产品属性

产品编号：
MCP3906-I/SS
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 电能计量
包装：
管件
输入阻抗：
390 千欧
测量误差：
0.1%
电压 - I/O 高：
2.4V
电压 - I/O 低：
0.85V
电流 - 供电：
2.7mA
表计类型：
Single Phase
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
24-SSOP
描述：
IC ENERGY METERING 24SSOP

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