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MMBD1404	文件：57.47 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1404	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MMBD1404	文件：39.13 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode HighVoltageGeneralPurposeDiode SourcedfromProcess1H.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1404A	文件：63.02 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode Descriptions Sourcedfromprocess2V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MS1404	文件：97.1 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSUHFMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1404isa12.5VClassCepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforUHFcommunications.ThisdeviceutilizesimprovedmetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. Features •470MHz •12.5VOLTS •POUT=5.0WATT •GP=8.5dBMI	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MV1404	文件：35.18 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARATOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MV1404	文件：11.42 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARACTOR DESCRIPTION: TheASIMV1404isaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode. FEATURES: •HighCapacitance:90–144pF •HighQ:200Min.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MV1404H	文件：14.9 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARACTOR DESCRIPTION: TheASIMV1404HisaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode,WithHi-RelScreening.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
NCP1404	文件：49.45 Kbytes Page：8 Pages	350mAPWM/PFMStep-UpDC-DCConverterwithLowBatteryDetector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE1404	文件：24.61 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitTVSoundIFAmplifier,Detector,AFOutputCircuit Description: TheNTE1404isanintegratedcircuitina16–LeadDIPw/FintypepackagedesignedforuseasaTVsoundsignalprocessingcircuit. Features: •ProvidesTotalTVSoundSignalProcessingCircuitryfromIFAmplifierthroughAFOutput •DCVolumeControlSystem:ControlVolt	NTE NTE Electronics	NTE

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