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MCH6331-TL-H	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6331-TL-W	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MG6331	文件：588.77 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MG6331-R	文件：588.77 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MMA6331L	文件：140.85 Kbytes Page：11 Pages	짹4g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MMA6331LT	文件：140.85 Kbytes Page：11 Pages	짹4g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MS6331	文件：227.52 Kbytes Page：7 Pages	16-bitStereoAudioDAC&HeadphoneDriverComponentLess,LowCost	MOSAMOSA ELECTRONICS 茂昇电子茂昇电子股份有限公司	MOSA
MS6331	文件：217.82 Kbytes Page：9 Pages	16-bitStereoAudioDAC&HeadphoneDriverComponentLess,LowCost	MOSAMOSA ELECTRONICS 茂昇电子茂昇电子股份有限公司	MOSA
MS6331GTR	文件：217.82 Kbytes Page：9 Pages	16-bitStereoAudioDAC&HeadphoneDriverComponentLess,LowCost	MOSAMOSA ELECTRONICS 茂昇电子茂昇电子股份有限公司	MOSA
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详细参数

型号：
MCH6331-TL-H
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCH6331-TL-H供应商更新时间2025-5-22 14:00:00

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