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TC74AC257P	文件：290 Kbytes Page：7 Pages	CMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC Features •Highspeed:tpd=3.6ns(typ.)atVCC=5V •Lowpowerdissipation:ICC=8μA(max)atTa=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) •Symmetricaloutputimpedance:\|IOH\|=IOL=24mA(min)Capabilityofdriving50Ωtransmissionlines. •Balancedpropagationdela	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TC74AC257P

文件：290 Kbytes

Page：7 Pages

CMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONMONOLITHIC

Features •Highspeed:tpd=3.6ns(typ.)atVCC=5V •Lowpowerdissipation:ICC=8μA(max)atTa=25°C •Highnoiseimmunity:VNIH=VNIL=28VCC(min) •Symmetricaloutputimpedance:|IOH|=IOL=24mA(min)Capabilityofdriving50Ωtransmissionlines. •Balancedpropagationdela

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多MC74AC257DT供应商更新时间2025-7-22 10:20:00

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