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MC3423P1G电路保护的TVS-混合技术规格书PDF中文资料

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厂商型号

MC3423P1G

参数属性

MC3423P1G 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-混合技术;MC3423P1G应用范围:通用;产品描述:IC SENSOR UNDERVOLTAGE 8DIP

功能描述

Overvoltage Crowbar Sensing Circuit
IC SENSOR UNDERVOLTAGE 8DIP

封装外壳

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

86.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 9:18:00

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MC3423P1G规格书详情

MC3423P1G属于电路保护的TVS-混合技术。由安森美半导体制造生产的MC3423P1GTVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MC3423P1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 混合技术

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 技术:

    混合技术

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC SENSOR UNDERVOLTAGE 8DIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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DIP8
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