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MC3423DR2G电路保护的TVS-混合技术规格书PDF中文资料

MC3423DR2G
厂商型号

MC3423DR2G

参数属性

MC3423DR2G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-混合技术;MC3423DR2G应用范围:通用;产品描述:IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

功能描述

Overvoltage Crowbar Sensing Circuit
IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

86.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 10:58:00

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MC3423DR2G规格书详情

MC3423DR2G属于电路保护的TVS-混合技术。由安森美半导体公司制造生产的MC3423DR2GTVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MC3423DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 混合技术

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 技术:

    混合技术

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
SOP8
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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标准封装
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